RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
AMD AE34G1601U1 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
AMD AE34G1601U1 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD AE34G1601U1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
85
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
3.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
67
85
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
3.6
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
998
1118
AMD AE34G1601U1 4GB Porównanie pamięci RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link