RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
AMD AE34G1601U1 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
AMD AE34G1601U1 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD AE34G1601U1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
85
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
3.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
67
85
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
3.6
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
998
1118
AMD AE34G1601U1 4GB Porównanie pamięci RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link