RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3061
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GRSL 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link