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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
26
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
3061
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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