RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3715
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link