RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2810
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link