RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2354
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link