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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.8
12.2
写入速度,GB/s
12.5
9.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2354
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
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