Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB

-->

Средняя оценка

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.8 12.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 9.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 33

Около -10% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 30
Скорость чтения, Гб/сек

17.8 12.2
Скорость записи, Гб/сек

12.5 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3285 2354

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

модули RAM

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB

Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB

A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

модули RAM