AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Note globale
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AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Note globale
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 73
    Autour de -181% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    18.2 left arrow 6.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    17.3 left arrow 5.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 12800
    Autour de 1.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    73 left arrow 26
  • Vitesse de lecture, GB/s
    6.3 left arrow 18.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.2 left arrow 17.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1309 left arrow 3938
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons