RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Comparez
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Note globale
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Note globale
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2272
3851
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaison des RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link