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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB

Note globale
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Note globale
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Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

AMD R534G1601U1S-UO 4GB Raisons de considérer
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.7 left arrow 11.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.2 left arrow 7.1
    Valeur moyenne dans les tests
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB Raisons de considérer
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
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Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.7 left arrow 11.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.2 left arrow 7.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2272 left arrow 1681

AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaison des RAM

AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB Comparaison des RAM

Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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