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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
Vergleichen Sie
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
Gesamtnote
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2272
1681
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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