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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
83
Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
83
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2272
1774
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaison des RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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