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AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
AMD R7416G2133U2S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
78
Autour de 76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R7416G2133U2S 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
78
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
1594
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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