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AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
AMD R7416G2133U2S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
78
左右 76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R7416G2133U2S 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
78
读取速度,GB/s
18.4
13.5
写入速度,GB/s
12.3
6.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
1594
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
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