RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
72
Autour de 74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
72
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
1728
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link