RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
32
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
32
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
2952
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link