RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
32
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
32
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2952
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link