RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
37
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2050
2808
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9L1 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link