RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2050
2808
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9L1 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link