Porównanie pamięci RAM Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Wynik ogólny

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

2,201.1 1,865.3

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

65 74

Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

4 4

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

508 607

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns