Confronto tra le RAM Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Punteggio complessivo

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,201.1 1,865.3

Valore medio nei test

Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

65 74

Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 4

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

508 607

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns