Comparação RAM Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Pontuação geral

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,201.1 1,865.3

Valor médio nos testes

Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

65 74

Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 4

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

508 607

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns