Comparación de la memoria RAM Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Puntuación global

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,201.1 1,865.3

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

65 74

En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 4

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

508 607

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns