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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

総合得点
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,201.1 left arrow 1,865.3
    テスト平均値
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    65 left arrow 74
    周辺 -14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    74 left arrow 65
  • 読み出し速度、GB/s
    4,178.4 left arrow 4,423.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,201.1 left arrow 1,865.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    508 left arrow 607

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