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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Comparez
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
47
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2323
3017
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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