Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

总分
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 47
    左右 -81% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.7 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.0 left arrow 9.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 19200
    左右 1.11 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    47 left arrow 26
  • 读取速度,GB/s
    11.8 left arrow 17.7
  • 写入速度,GB/s
    9.2 left arrow 14.0
  • 内存带宽,mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2323 left arrow 3017
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RAM 1
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