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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
48
左右 -118% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
22
读取速度,GB/s
8.9
17.6
写入速度,GB/s
5.9
12.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2728
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
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