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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparez
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
47
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2323
3649
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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