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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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需要考虑的原因
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
11.8
20.5
写入速度,GB/s
9.2
15.5
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
3649
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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