RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.6
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
1254
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link