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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Comparez
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Note globale
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Note globale
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2753
2055
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
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