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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Puntuación global
star star star star star
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Puntuación global
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 14
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.4 left arrow 10.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    38 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 14.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.0 left arrow 10.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2753 left arrow 2055

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM

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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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