RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3559
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link