RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3559
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link