RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
3133
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link