RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
41
Autour de 37% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
41
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2134
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link