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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2438
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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