RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2238
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link