RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparez
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Note globale
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
26
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
20
26
Vitesse de lecture, GB/s
19.1
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3252
3124
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaison des RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link