Comparaison de la RAM Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Note globale

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

20 31

Autour de 35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

19.1 12.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.1 9.4

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 10600

Autour de 1.81 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

3252 2361

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns