Porównanie pamięci RAM Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Wynik ogólny

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

20 31

Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

19.1 12.5

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.1 9.4

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 10600

Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3252 2361

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns