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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Comparez
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Note globale
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Note globale
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de -21% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2782
2690
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
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