RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
42
Autour de -133% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
18
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3668
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link