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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
42
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
18
读取速度,GB/s
9.7
20.9
写入速度,GB/s
6.0
17.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3668
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
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