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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
94
左右 -185% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
33
读取速度,GB/s
1,882.0
16.0
写入速度,GB/s
1,165.4
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2947
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology ADOPE1B163B2 2GB
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