RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Comparez
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Note globale
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2278
3987
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link