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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
60
Autour de -40% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
43
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3282
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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