RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Comparez
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
18.1
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
16.2
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3606
2240
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link