RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Comparez
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
17
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
17.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
16.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3784
3505
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link